成都信息工程大学学报
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锑化铟
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锑化铟半导体掺杂硫元素的能带结构、态密度以及光学性质研究
韩玉娇, 沈艳红, 虞 游, 邓 江, 盛佳南 2025年01期 [107-110][
摘要
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568
)
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pdf
1684KB]
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624
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DOI:
10.16836/j.cnki.jcuit.2025.01.016