成都信息工程大学学报
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HBT
的文章
1
一种基于0.18μm SiGe工艺的8 GHz前置分频器
张 红
1
，张振宁
2
，叶 松
1
2022年04期 [392－395][
摘要
](
728
)
[
pdf
1340KB]
(
390
)
DOI:
10.16836/j.cnki.jcuit.2022.04.005